KAWASAKI, Jepang — Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) hari ini mengadakan upacara untuk menandai selesainya fasilitas fabrikasi wafer 300 milimeter baru untuk semikonduktor daya dan gedung perkantoran di Kaga Toshiba Electronics Corporation di Prefektur Ishikawa, Jepang, salah satu perusahaan grup utama Toshiba. Penyelesaian konstruksi ini merupakan tonggak penting bagi Tahap 1 program investasi multi-tahun Toshiba. Toshiba kini akan melanjutkan pemasangan peralatan, untuk memulai produksi massal pada paruh kedua tahun fiskal 2024. Setelah Fase 1 mencapai operasi skala penuh, kapasitas produksi Toshiba untuk semikonduktor daya, terutama MOSFET[1] dan IGBT[2]akan menjadi 2,5 kali lipat dari tahun fiskal 2021, ketika rencana investasi dibuat[3]. Keputusan mengenai konstruksi dan dimulainya pengoperasian Tahap 2 akan mencerminkan tren pasar.
Gedung manufaktur baru ini mengikuti dan akan memberikan kontribusi besar terhadap Rencana Kesinambungan Bisnis (BCP) Toshiba: gedung ini memiliki struktur isolasi seismik yang menyerap guncangan gempa dan sumber listrik berlebih. Energi dari sumber terbarukan dan panel surya di atap gedung (model PPA di lokasi) akan memungkinkan fasilitas tersebut memenuhi 100% kebutuhan listriknya dengan energi terbarukan.
Kualitas produk dan efisiensi produksi akan ditingkatkan dengan penggunaan kecerdasan buatan (AI). Toshiba mengharapkan untuk menerima hibah dari Kementerian Ekonomi, Perdagangan dan Industri Jepang untuk mensubsidi investasinya pada sebagian peralatan manufaktur.
Semikonduktor daya memainkan peran penting dalam penyediaan dan pengendalian listrik, dan merupakan perangkat penting untuk efisiensi energi di semua peralatan listrik. Dengan berlanjutnya elektrifikasi mobil dan otomasi mesin industri, mereka diperkirakan akan terus melihat pertumbuhan permintaan yang kuat. Toshiba memulai produksi semikonduktor daya pada lini wafer 300 milimeter baru pada paruh kedua tahun fiskal 2022 di fasilitas Kaga Toshiba Electronics yang sudah ada. Ke depannya, perusahaan akan memperluas produksi dengan pabrik baru dan lebih berkontribusi terhadap netralitas karbon.
[1] Transistor Efek Medan Logam-Oksida-Semikonduktor
[2] Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi
[3] Total kapasitas fabrikasi wafer 200 dan 300 milimeter (setara 200 milimeter)
Ikhtisar Kaga Toshiba Electronics Corporation
Lokasi: 1-1, Iwauchi-machi, Nomi-shi, Prefektur Ishikawa, Jepang
Didirikan: Desember 1984
Presiden dan Direktur Perwakilan: Satoshi Aida
Karyawan: 1.150 (per 31 Maret 2024)
Produk Utama: Semikonduktor diskrit (semikonduktor daya, perangkat sinyal kecil, dan perangkat optoelektronik)
Web: (hanya dalam bahasa Jepang)
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan, dan informasi kontak, adalah terkini dan diyakini akurat pada tanggal pengumuman, namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.
* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan yang disebutkan di sini mungkin merupakan merek dagang dari perusahaannya masing-masing.
Tentang Perusahaan Perangkat & Penyimpanan Elektronik Toshiba
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pemasok terkemuka semikonduktor dan solusi penyimpanan canggih, memanfaatkan lebih dari setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan produk semikonduktor diskrit, LSI sistem, dan HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.
Bagikan artikel ini di jejaring sosial Anda
